近来，浙江大学相关团队研制的微米和纳米钙钛矿LED（micro-PeLED和nano-PeLED），到达了传统LED难以触及的90nm标准新极限，一起降标准进程仅形成弱小的功能损耗，相关研究成果已宣布在世界尖端学术期刊《天然》上。

  据介绍，在电子科学范畴，缩小根本器材标准的“降标准”进程一直是推进技能革新的要害力气，现在最先进的闪现技能是根据III-V族半导体的micro-LED，micro-LED便是一种“降标准”的LED。

  但其昂扬的制形本钱，再加受骗像素标准减小到约10微米或更小时，micro-LED的功率会急剧下降，约束了其大规模商业使用的可能性。

  而浙江大学狄大卫团队自2021年初次提出“微型钙钛矿LED（micro-PeLED）”概念并取得专利，钙钛矿LED是一种可使用于闪现、照明和通讯等范畴的新式光源，在颜色纯度、色域宽度上有极大的优势。

  但传统制造办法容易形成非辐射能量损耗，下降LED功率，为此团队规划了一套局域触摸工艺，在附加绝缘层中引进光刻制造的图画化窗口，有很大成效避免了像素鸿沟处的能量损耗，成功制造出像素标准从数百微米到90纳米的钙钛矿LED。

  团队开发的micro和nano-PeLED，大约在180纳米的极小标准才开端闪现降标准效应，此刻的功率下降至最高值的50%，而传统micro-LED在标准低于10微米时功率就现已明显下降。

  狄大卫表明：“论文中所展现的nano-PeLED最小可到达90纳米，是迄今为止报导的最小LED像素。”

  根据此，团队创立的具有127000 PPI超高分辨率的LED像素阵列也摘得一切类型LED阵列最高分辨率的纪录。